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BSC190N15NS3G绝对保证原装BSC13DN30NSFDATMA1

发布企业:时间:2019/8/6 10:04:00
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英飞凌 N 沟道 OptiMOS? 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET,实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装,使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的理想选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入(design in)的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS? 功率 MOSFET 提供优秀的栅极电荷,最适合直流-直流转换。

OptiMOS? 产品提供高性能封装,可用于最具挑战性的应用,充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS? 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

MOSFET 特性

经优化的 SyncFET,用于高性能降压转换器

100%_经雪崩测试

N 沟道

非常低的导通电阻 RDS(on) @ VGS=4。5V

超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss)(对于给定 RDS(on)

按照 JEDEC 标准符合目标应用要求

出色的热阻

无铅电镀;符合 RoHS 要求

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准

应用

服务器的板载电源

高性能计算的电源管理

同步整流

高功率密度负载点转换器

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BSC190N15NS3 G BSC13DN30NSFDATMA1 制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

万祥彩票开户Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

万祥彩票开户Pd-功率耗散: 125 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.27 mm

万祥彩票开户长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

CNHTS: 8541210000

下降时间: 6 ns

HTS代码: 8541290095

MXHTS: 85412999

产品类型: MOSFET

上升时间: 53 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

TARIC: 8541290000

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: BSC190N15NS3GATMA1 BSC19N15NS3GXT SP000416636

万祥彩票开户单位重量: 100 mg

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